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실리콘 카본 계열의 복합음극재 CVD
설비제작
KEY POINT
증착 설비 내부 온도 정밀도 ( +/- 3 °C 이내 ) 필수
위해 가스 방지를 위한 밀봉 및 방폭 설계 필수
CVD 증착 조건 형성을 위한 원료 유동성 설계 필수
설비 무인화 공정 설계 필수
㈜불카누스의 SiH4 GAS CVD 설비 + 부동화 장치
용도
가용 온도 (단위: °C)
생산량
사용분위기
이차전지 복합 음극 소재 ( Si-C ) 제조용
Max650 °C / Working 450 °C
20 ton/year
- CVD 설비 : SiH4 GAS + N2 GAS - 부동화 장치 : N2 GAS + O2 GAS
고순도 나노 실리콘 제조 장치
용도
가용 온도 (단위: °C)
생산량
사용분위기
이차전지 복합 음극 소재 ( Si ) 제조용
Max850 °C / Working 750 °C
1,200 ton/year
H2 GAS+ N2 GAS
CH4 GAS CVD 설비
용도
가용 온도 (단위: °C)
생산량
사용분위기
이차전지 복합 음극 소재 ( SiOx-C ) 제조용
Max950 °C / Working 680 °C
300 ton/year
CH4 GAS + N2 GAS